半導体製造工場に最大3兆円　対米投資第3弾発表

政府は対米投資の第3弾として、アメリカに建設される半導体製造工場に、最大で約3兆円を投資すると発表しました。

赤沢経済産業大臣：
AI時代における競争優位の確保に日米が協力をして取り組んでいく上で、大変大きな意義を有するものと考えております。

赤沢大臣は、日米の関税交渉で合意した約87兆円の対米投資の第3弾として、日本が最大で約3兆円を投じ、アメリカ・ニューヨーク州に半導体製造工場を建設することで日米が合意したと発表しました。

赤沢大臣は「日米が協力をして、強靱（きょうじん）なサプライチェーンを作り上げることが可能となる」と述べ、この計画が、日本の経済安全保障にもつながるとの考えを示しました。

日本企業では、東京エレクトロンなど複数の企業が関心を示しているということです。

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